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双腔室四靶磁控溅射镀膜机
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双腔室四靶磁控溅射镀膜机

该设备用于通过磁控溅射法沉积金属薄膜、陶瓷膜、介质膜等,用户可以根据工艺的需要选择单靶独立工作、四靶轮流工作或四靶任意组合共溅等工作模式。该设备由主腔室和预备室两个真空室组成。主腔室用于镀制薄膜,完成用户主要镀膜工艺过程。预备室通过高真空插板阀与主腔室相连,可以用于镀膜前基片与镀膜后薄膜的等离子清洗,并可以在不破坏主腔室真空的条件下更换基片。
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参数

  一、应用领域

  该设备用于通过磁控溅射法沉积金属薄膜、陶瓷膜、介质膜等,用户可以根据工艺的需要选择单靶独立工作、四靶轮流工作或四靶任意组合共溅等工作模式。该设备由主腔室和预备室两个真空室组成。主腔室用于镀制薄膜,完成用户主要镀膜工艺过程。预备室通过高真空插板阀与主腔室相连,可以用于镀膜前基片与镀膜后薄膜的等离子清洗,并可以在不破坏主腔室真空的条件下更换基片。

  二、性能参数

  镀膜室:

  1. 有效尺寸约Φ500×550,极限真空:5×10-5Pa;

  2. 磁控靶: 3″ 4只,直流射频兼容,靶基距、角度可调;配电(气)动挡板;

  3. 基片尺寸4″,可实现旋转、升降;

  4. 加热温度600℃,控温精度±1度;

  5. 样品台公转,转速:2-20rpm可调;

  6. 偏压、膜厚仪、薄膜规可选;

  预备室:

  1. 有效尺寸约Φ300×350;极限真空:5×10-4Pa;

  2. 腔体具有自加热烘烤除气功能;

  3. 对基片离子溅射清洗功能;

  4. 配置基片库,可一次装卡4片基片;

  5. 磁力取样杆传递基片;

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